86-0755-27838351
康華爾電子成立至今已有20多年,是國內數一數二的晶振廠家0755-27838351,專業研發生產銷售石英晶振,32.768K晶振,石英晶體諧振器,貼片晶振,SAW濾波器等.采用無鉛環保材料生產,具有精度穩定,小體積,重量輕等特點.國產晶振就選康華爾電子,質量好,精度高,價格優勢.
康華爾電子多年來在競爭激烈的市場中,以技術占領市場,以質量贏得客戶,是國內口碑極高的晶振供應商.并且憑借自身的努力代理臺灣進口晶振多個品牌,TXC晶振,鴻星晶振,加高晶振,亞陶晶振等.康華爾電子所提供的臺產晶振,均符合德國ROHS環保指令,具有高質量,高可靠使用特性,咨詢選購熱線0755-27838351.
日本進口晶振在國內口碑一流,高端智能產品使用晶振大都會選擇日產晶振作為首選.康華爾電子憑借自身的努力同時代理KDS晶振,愛普生晶振,精工晶體,京瓷晶振等品牌.所代理石英晶振,石英晶體振蕩器,貼片晶體均符合歐盟ROHS環保要求,具有高精度,高品質,低插損,耐高溫等特點.
康華爾電子是國內優秀的歐美進口晶振供貨商0755-27838351,多年來憑借自身的努力,獲得CTS晶振,FOX晶振,Sitime晶振,瑞康晶振等代理權限.所代理進口晶振,歐美晶振均符合歐盟ROHS環保指令,并且獲得ISO國際質量管理體系認證.市場常用進口晶振封裝型號康華爾電子均有備貨,可免費提供現貨樣品以及晶振技術解決方案.
32.768K是晶振頻率中最容易讓人記住的數字,32.768K晶振素來有時鐘晶振的稱謂,只要跟數字顯示以及時間相關的產品都少不了一款32.768K晶振.根據不同的產品需求主要分為圓柱晶振和32.768K貼片晶振.常見封裝有2x6,3x8,7.0x1.5,3.2x1.5,2.0x1.2等體積.康華爾電子提供各種32.768K晶振,音叉表晶,價格優質,咨詢熱線0755-27838351.
有源晶振是一款自身帶有電源電壓功能的石英晶體振蕩器,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態輸出功能,電源電壓范圍：1.8V~5 V,高穩定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本WLAN,藍牙,數碼相機,DSL和其他IT產品的晶振應用,三態功能,PC和LCDM等高端數碼領域,符合RoHS/無鉛.
X1G005591031100日本EPSON愛普生石英晶體振蕩器的結構變化
金屬殼封裝等效電路與金屬板之間的靜電電容；L、C為壓電諧振的等效參量；R為振動磨擦損耗的等效電阻.石英晶體諧振器存在一個串聯諧振頻率fos（1/2π）,愛普生晶振同時也存在一個并聯諧振頻率fop（1/2π).由于CoC,fop與fos之間之差值很小,并且RωOL,R1/ωOC,所以諧振電路的品質因數Q非常高（可達數百萬）.
X1G005591031100日本EPSON晶振,愛普生石英晶體振蕩器
石英晶振振蕩器SPXO的總精度（包括起始精度和隨溫度、電壓及負載產生的變化）可以達到±25ppm.SPXO既無溫度補償也無溫度控制措施,其頻率溫度特性幾乎完全由石英晶體振子的頻率溫度特性所決定.在0～70℃范圍內,日產晶振SPXO的頻率穩定度通常為20～1000ppm,SPXO可以用作鐘頻振蕩器.溫度補償晶體振蕩器TCXO是通過附加的溫度補償電路使由周圍溫度變化產生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器.X1G005591031100日本EPSON晶振,愛普生石英晶體振蕩器
愛普生有源晶振編碼
型號
頻率
長X寬X高
輸出波
電源電壓
工作溫度
頻差
最大值
X1G005591006000
SG-8018CE
23.040000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 4.4 mA
X1G005591006100
SG-8018CE
28.636360 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 4.4 mA
X1G005591006200
SG-8018CE
14.430000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 3.5 mA
X1G005591006300
SG-8018CE
8.439025 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 3.5 mA
X1G005591006400
SG-8018CE
29.491200 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 4.4 mA
X1G005591006500
SG-8018CE
22.222200 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 4.4 mA
X1G005591031100
SG-8018CE
30.000000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 4.4 mA
X1G005591006600
SG-8018CE
19.660800 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 3.5 mA
X1G005591006700
SG-8018CE
6.000000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 3.5 mA
X1G005591006800
SG-8018CE
7.680000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 3.5 mA
X1G005591006900
SG-8018CE
74.250000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 5.2 mA
X1G005591007000
SG-8018CE
88.888000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 5.9 mA
X1G005591007100
SG-8018CE
88.888000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 5.9 mA
X1G005591007200
SG-8018CE
12.500000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 3.5 mA
X1G005591007300
SG-8018CE
148.500000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 8.1 mA
X1G005591007400
SG-8018CE
74.250000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 5.2 mA
X1G005591007500
SG-8018CE
57.272720 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 5.2 mA
X1G005591007600
SG-8018CE
37.125000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 4.4 mA
X1G005591007700
SG-8018CE
19.200000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 3.5 mA
X1G005591007800
SG-8018CE
6.005284 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 3.5 mA
X1G005591007900
SG-8018CE
57.209760 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 5.2 mA
X1G005591008000
SG-8018CE
10.000000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 3.5 mA
X1G005591008100
SG-8018CE
133.000000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 8.1 mA
X1G005591008200
SG-8018CE
32.400000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 4.4 mA
X1G005591008300
SG-8018CE
22.579200 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 4.4 mA
從而使石英晶體諧振器組成的振蕩器頻率穩定度十分高,可達10－12/日.石英晶體振蕩器的振蕩頻率既可近似工作于fos處,有源晶體振蕩器也可工作在fop附近,因此石英晶體振蕩器可分串聯型和并聯型兩種.用石英晶體諧振器及其等效電路,取代LC振蕩器中構成諧振回路的電感（L）和電容（C）元件,則很容易理解晶體振蕩器的工作原理.X1G005591031100日本EPSON晶振,愛普生石英晶體振蕩器
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